Астраханские школьники разрабатывают новый вид памяти

Астраханские школьники Екатерина Клюкина и Александр Ванькаев работают над проектом "Разработка и исследование эффекта резистивного переключения в наноразмерных оксидных структурах титана".

Как сообщает пресс-служба регионального министерства образования и науки, свои исследования юные астраханцы начали проводить ещё полтора года назад на базе подведомственного министерству образования и науки Астраханской области Регионального школьного технопарка.

Стоит отметить их научного руководителя Сергея Лисицына, который и сам раньше занимался подобной разработкой в Южном федеральном университете.

Сергей Лисицын уточнил, что на одной из конференций в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, где учащиеся выступали с докладом, они познакомились с ведущим научным сотрудником Сергеем Ковешниковым, который занимается схожей тематикой исследований. С ним был заключён договор на сотрудничество в виде научно-исследовательской работы.

Необходимо пояснить, что ребята работают с гетероструктурой Si/SiO2/Ti. Толщина Ti составляет 20 нанометров. На сканирующем зондовом микроскопе они сканируют и исследуют поверхность Ti, после чего выбирают необходимую область. Далее при помощи метода локального анодного оксидирования, реализованного на сканирующем зондовом микроскопе NTMDT SI NEXT II формируют оксидные наноразмерные структуры Ti, после чего свойства и характеристики дальше исследуются на СЗМ.

Юным астраханским учёным предстоит доказать, что их работа может принести колоссальную пользу. К примеру, сообщают в ведомстве, возможным станет создание новых компьютеров, электроники, которые будут работать быстрее, эффективнее и при этом потреблять меньше энергии.

Алина Мингазова

Подписывайтесь на наш Telegram, а также Одноклассники и ВКонтакте.