Новосибирский завод запустил производство нитригалиевых пластин для микроэлектроники
Специализирующееся на производстве электронно-оптических преобразователей для приборов ночного видения предприятие в мае 2018 года совместно с ИФП им А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН объявило о намерении реализовать проект по созданию полупроводниковых гетероструктур, основу которых составляют арсенид и нитрид галлия. Эти материалы, как правило, используются при изготовлении элементов электроники. В перспективе именно у этих структур больше всего шансов стать составными компонентами мощных транзистеров, которые применяются при создании устройств связи. На тот момент стоимость проекта составляла 30 млн евро.
Сегодня можно с уверенностью заявить, что эта инициатива была претворена в жизнь. Новосибирский завод первым в России сумел наладить серийный выпуск компонентов на основе нитрида галлия. Данное соединение будет использоваться при создании активных и пассивных устройств электроннокомпонентной плазмы.
Старт производства позволяет России избавиться от зависимости от Запада в очень важной сфере. Ранее подобные материалы приходилось приобретать за рубежом, и при наличии международных санкций, развитие этой отрасли было для РФ жизненно необходимым.