Российские ученые усовершенствовали диоды для приборов ночного видения: что нового

Ученые из Алферовского университета в Санкт-Петербурге совместно с компаниями «ОКБ-Планета» из Великого Новгорода и «Иоффе-ЛЕД» разработали и запатентовали первые в стране фотодиоды, способные улавливать излучение в расширенном ближнем инфракрасном диапазоне.

Новые сенсоры обладают почти вдвое более широким спектром чувствительности по сравнению с существующими отечественными аналогами, и это открывает широкие перспективы для применения разработки в приборах ночного видения, системах экологического мониторинга и высокоточных газоанализаторах.

В основу инновации лег усовершенствованный состав полупроводникового материала — арсенида индия-галлия (InGaAs), который широко используется в инфракрасных фотоприемниках. Если ранее такие устройства могли регистрировать излучение в диапазоне до 1,7 микрометра, что соответствует ближнему инфракрасному диапазону, то теперь, за счет увеличения доли индия в кристаллах, удалось расширить чувствительность до 2,65 микрометра, вплотную приблизившись к границе среднего инфракрасного диапазона. Это значит, что сенсоры нового поколения смогут фиксировать больше информации об объектах в условиях низкой видимости.

Заведующий лабораторией перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники Максим Соболев считает значительным достижением не только расширение диапазона новых сенсоров, но и сохранение совместимости инновационной технологии с уже существующими производственными процессами. Это значит, что разработку можно будет быстро запустить в серийное производство и вывести ее на рынок, где она составит конкуренцию зарубежной продукции, которую Россия ранее была вынуждена импортировать.